نمایش اطلاعات مطلب ترانزيستورهاي با قابليت تحرك بالاي الكترونHEMT

  • سال انتشار: 1389
  • تعداد فایلها: 2
  • 1534 بار مشاهده توضیحات
  • 22 بار دریافت فایلها
  • گزارش اشکال

توضیحات و چکیده مطلب

مقدمه:
ترانزيستورهاي با قابليت تحرك بالاي الكترون، HEMT، كه بر اساس مواد نيمه هادي III-Vو معمولا براي فركانسهاي بالا ساخته مي شوند، جايگاه ويژه اي در طراحي تقويت كننده هاي كم نويز فركانس بالا و Wide band دارند. ترانزيستور هاي HEMT در واقع مشتق MESFET ها مي باشند.الكترون در MESFET از يك لايه n-GaAs تغليظ شده عبور مي كند، و با توجه به اينكه قابليت تحرك الكترون در n-GaAs نسبت به GaAs در حدود كمتر مي باشد، به دليل پراكندگي( Scatter) الكترون ها ناشي از Ionized dopant’s ، بنابراين با جدا سازي كانال عبور الكترون از لايه n-GaAs مي توان به عملكرد نويز، بهره و فركانسي بهتري نسبت به MESFET دست يافت. HEMT از دو ماده متمايز طبق آنچه گفته شد در در ساختارش استفاده مي شود( مطابق شكل -1). تفاوت در شكاف انرژي باعث به وجود آمدن يك ناپيوستگي در باند هدايت و ظرفيت در محل تماس مي شود يا به عبارتي پيوند چندگن يك چاه كوانتومي در باند هدايت درست مي كند. نيمه هادي با باند انرژي بزرگتر باناخاصي و نيمه هادي با باند انرژي كوچكتر بدون ناخالصي مي باشد، در نتيجه الكترونهاي باند هدايت از نيمه هادي با ناخالصي به لايه بدون ناخالصي به دليل شكاف انرژي كمترآن حركت مي كنند، ويك لايه گاز الكترون دو بعدي بين لايه هاي بدون الايش و نوع n در امتداد پيوند چندگن ايجاد مي شود. ناپيوستگي باند انرژي يك سد انرژي مي باشد كه الكترونها را حبس مي كند.
2فایل موجود می‌باشد

برای دریافت فایلهای این پروژه بر روی فرمت مورد نظر کلیک نمایید. با هر کلیک، تعداد اعتبارهای لازم از شما کسر شده و لینک دریافت فایل در اختیار شما قرار میگیرد.